重庆智能电子产品开发公司

重庆电子产品开发阻抗低到什么程度才算合理，是不是越低越好，这个在LED应用中并无明显的共识或相应的标准。国内低阻抗的电解设计方案中对降低阻抗通常采用两个方案，一是提高电解液的含水量，一是用低密度或低厚度的电解纸。然而过犹不及， 许多设计工程师认为，低阻抗产品在高频电路中应用时，可有效地减少电解自身发热，从而达到提高电解应用寿命的目的。理论上单从电解自身发热来看，LOWE S R电解的设计是满足于上述理论条件的，但电解在LED应用中我们不得不考量LED应用的实际温度环境，即产品耐高温的特性，这个特性与LOW ESR电解通常设计方案相当于天平的两端，阻抗越低，耐高温能力反而就越弱。因为，越低阻抗的电解，智能电子产品开发电解液含水量率越高或电解纸密度及厚度较小，电解液的饱和蒸汽压降低，在高温状况下容易出现鼓底。这样我们通过改进ESR值，带来的自身发热微弱的优势，与产品在耐高温特性大幅减弱相比，便得不偿失。

重庆电子产品开发电容器约占整机电子元件用量的40%左右，而铝电解电容器占整个电容器产量的34%。 铝电解电容器由于具有电压和电容量范围宽、储电量大、价格低的优势，在消费电子产品应用中占44%，主要应用于电脑、彩电、空调、照相机等家用电器及数控车床等。 随着铝电解电容器技术进步不断提升、产品结构不断丰富，近年来其在汽车电子、新能源、航天军工等领域应用广泛，主要用于制造节能灯、变频器、逆变器、不间断电源等，这会使铝电解电容器在整个电容器市场占有率有望进一步提升。高频、低阻抗、长寿命、宽温度、超小型等将是智能电子产品开发铝电解电容器的发展方向。

重庆电子产品开发漏电流是对铝电解电容器损伤最大的问题之一，因为漏电流会消耗电解液，造成铝电解电容器过早的干涸失效。因此，要格外地关注漏电流问题。如果长期置放的铝电解电容器（钽电容的全称是钽电解电容器，市场上代表产品是AVX钽电容）没进行赋能，当第一次通电时漏电流值可能会高达其正常值的100倍。当电容器的存储时间超过2年后，智能电子产品开发公司电容器能否承受得住这个高初始漏电流就是个问题。因此，在铝电解电容器装入电路前，最好是对铝电解电容器实施赋能程序。另外，带有电容器的电路已经达到或超过存储年限以上时，应该使电容器工作在无负载状态下空载一小时，以防止过大的漏电流和纹波电流共同作用使铝电解电容器过热而导致“爆浆”事故发生，使电容器的漏电流得到恢复。由此可以看到，对于带有铝电解电容器的电路，在存储期间应每年加电一次数小时，以保证在继续存储时保证电路中铝电解电容器的性能。

重庆电子产品开发电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I＝K×CV。漏电流I的单位是μA，K是常数。一般来说，智能电子产品开发电容器容量愈高，漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高，漏电流也愈大，因此降低工作电压亦可降低漏电流。

存储1年以上的重庆电子产品开发铝电解电容可能会增加DC漏电流.在使用之前检查DCL是否满足应用的需要。经过1,000Ω的电阻加上额定电压30分钟来重新限定高DCL个体的条件。 存储寿命是测量电容如何维持长时间的存储尤其在高温下，为了测试存储寿命，将智能电子产品开发公司电容放在一个炉中，设置存储寿命测试温度为-0+3℃作为存储寿命测试周期.完成实验在25℃下稳定电容24h或更长时间.提供额定电压30分钟,确认测试后的限制值.如果没有另外的指标,则电容量，DCL和ESR将满足开始的要求。